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可用磁场控制电阻的新磁体有望应用于MRAM及HDD

发布日期:2016年03月23日    浏览次数:2125

日本东京大学与大阪大学、东北大学、高能加速器器研究机构、理化学研究所组成的研究小组2016年1月30日宣布发现了新型磁体,该磁体可通过封入质量为零的狄拉克电子,利用磁场大幅控制导电性能。据称有望应用于可超高速且节能工作的HDD磁头及磁阻存储器MRAM等磁性器件。

此次成功合成了高品质的单结晶积层物质“EuMuBi2”,其结晶构造很有特点,是由承担狄拉克电子状态的铋层,与基于铕、锰的不流过电流的层(阻挡层)层积而成。阻挡层起磁铁作用,通过用外部磁场来控制磁矩的朝向,可使狄拉克电子的电流发生剧变,封入铋层。

经实验确认,使铕的磁矩方向旋转90度时,向垂直方向的传导被降低近1位数,使狄拉克电子强力封入面内。另外,在这一状态下还显示出了半整数量子霍尔效应,发现狄拉克电子基本符合理想的二维系统。

金属及半导体中的普通电子大多作为拥有质量的粒子来运动。而近年来的研究发现,在石墨的单原子层(石墨烯)中,电子是作为没有质量的粒子来传导的,引起业界的极大关注。这种固体中的狄拉克电子在石墨烯中拥有为硅约20倍以上的高迁移率,有望应用于高速节能的电子学领域。